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首頁-產(chǎn)品系統(tǒng)-環(huán)境檢測設(shè)備-高純鍺-KR-GEM-S7030-LB-C高純鍺探測器系統(tǒng)

高純鍺探測器系統(tǒng)

產(chǎn)品型號:KR-GEM-S7030-LB-C

簡要描述:高純鍺探測器系統(tǒng)
GEM-S7030-LB-C
?能量范圍:3keV~3MeV
?晶體尺寸:直接≥68mm,厚度≥30mm
?端窗直徑:83mm
?相對效率:≥28%(典型值)
?峰康比:40:1
?能量分辨率:≤0.45KeV @5.9KeV; ≤0.55KeV @14.4KeV; ≤0.7KeV@122KeV; ≤1.9KeV@1.332MeV
?峰形比(典型值):FW.1M/FWHM

  • 廠家實力

    Manufacturer Strength
  • 有效保修

    Valid Warranty
  • 質(zhì)量保障

    Quality Assurance

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詳細(xì)介紹

高純鍺探測器系統(tǒng)KR-GEM-S7030-LB-C

高純鍺探測器系統(tǒng)

高純鍺探測器GEM-S7030-LB-C

l 能量范圍:3keV~3MeV

l 晶體尺寸:直接≥68mm,厚度≥30mm

l 端窗直徑:83mm

l 相對效率:≥28%(典型值)

l 峰康比:40:1

l 能量分辨率:≤0.45KeV @5.9KeV; ≤0.55KeV @14.4KeV;  0.7KeV@122KeV; 1.9KeV@1.332MeV

l 峰形比(典型值):FW.1M/FWHM(典型值):≤2.0

l       FW.2M/FWHM(典型值):2.9

l 超低本底碳纖維整體封裝,實物如右圖

高純鍺探測器系統(tǒng)


液氮回凝制冷器 KR-MOBIUS

l 液氮回凝制冷,設(shè)備啟動時壓縮機冷卻揮發(fā)的液氮,保持罐內(nèi)液氮的長期平衡

l 壓縮機壽命大于20萬小時

l 27L液氮罐

l 在探測器?處于冷卻狀態(tài)后,液氮罐充滿的狀態(tài)下,可保證730天或更長的時間不需要充加液氮。(運過程中未出現(xiàn)斷電情況)

l 自帶感應(yīng)與控制元件,以文字或數(shù)字形式顯示如下信息:是否在液氮循環(huán)狀態(tài);當(dāng)前液氮水平;系統(tǒng)運行功率水平

l 配備安全泄壓閥,保證設(shè)備不會因斷電導(dǎo)致壓力過高而導(dǎo)致危險

l 制冷器關(guān)閉情況下,液氮損失速度小于3L/

l 壓縮機功率典型值125

l 噪聲:1m處小于60分貝

高純鍺探測器系統(tǒng)


雙通道數(shù)字化譜儀 GR-DSPEC 50

l 雙路全數(shù)字化多道分析器,儀器可以脫機運行,當(dāng)計算機系統(tǒng)異常死機或斷電時,測量可以繼續(xù)進行,測量數(shù)據(jù)可保存到γ譜儀測量系統(tǒng)中,當(dāng)設(shè)備再次連接上計算機時,譜線數(shù)據(jù)和粒子數(shù)可據(jù)恢復(fù)傳輸至計算機,保證測量數(shù)據(jù)不丟失

l 最大數(shù)據(jù)通過率:大于100kcps;

l 具有低頻噪聲抑制、數(shù)字化穩(wěn)譜、脈沖抗堆積、自動優(yōu)化、自動極零、零死時間校正和虛擬示波器等功能;

l 成型時間參數(shù)內(nèi)置可調(diào),平頂時間參數(shù)一鍵自動優(yōu)化調(diào)節(jié)

l 大屏幕彩色液晶可以連續(xù)顯示狀態(tài)和譜圖信息;同時提供USB2.0和以太接口;

l 系統(tǒng)變換增益(存儲器分段):由計算機選擇為65536,32768,16,384,8192,4096,2048,1024或512道;

l 譜儀能夠接入多種高純鍺探測器的前放類型,包括復(fù)位型前放及RC連續(xù)放電型前放

l 自動極零,優(yōu)秀的死時間修正能?,正確的處理計數(shù)率快速變化的應(yīng)?情況

  l 譜儀帶有數(shù)字符合/反符合通道,保留γ譜儀系統(tǒng)的后續(xù)升級反康普頓與反宇宙射線功能

中文譜分析軟件 GMMA

64位解譜軟件,與Windows平臺兼容

涵蓋譜獲取、分析、報告與質(zhì)保程序;樣品信息可編輯輸入,一次安裝即可實現(xiàn)所有功能,可以自動或手工操作進行剝譜,以正確地對多核素間干擾進行校正

無源效率刻度軟件 KR-ANGLE

軟件語言可選:中、英

自帶探測器自帶表征文件;廠家提供出廠前的點源基準(zhǔn)效率曲線,支持用戶自形用多核素點源、體源、馬林杯等表征修正

軟件算法:采用總效率算法,包括沉積校正,并進行自動刻度計數(shù)

配套提供探測器詳細(xì)晶體結(jié)構(gòu)圖,包含探測器死層厚度、內(nèi)部封裝極材等用于長時間運行后自行無源效率計算修正;支持客戶現(xiàn)場自行修正計算;







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